Представление документа в формате RUSMARC

ПолеНазваниеЗначение
  Тип записи a
  Библиографический уровень m
001 Контрольный номер RU/УОНБ/EK_KRAY/320919388
005 Дата корректировки 20241101133250.5
010 Индекс ISBN __
a ISBN 5-88866-129-5
d Цена 35.00
9 Тираж 500 экз.
b Уточнения в пер.
100 Данные общей обработки __
a Данные общей обработки 20030915d2002 u u0rusy0103 ca
101 Язык документа 0_
a Язык текста rus
105 Кодированные данные (монография) __
a Кодированные данные (монография) a z 000yy
200 Заглавие и сведения об ответственности 1_
a Заглавие Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках
f Первые сведения об ответственности С.В. Булярский, В.В. Светухин
210 Выходные данные 1_
a Место издания Ульяновск
c Издательство УлГУ
d Дата издания 2002
215 Физическое описание __
a Объем 386 с.
c Иллюстрации/тип воспроизводства ил.
d Формат 21
320 Библиография __
a Библиография Библиогр. в конце кн.
330 Аннотация __
a Аннотация Разработана обобщенная модель комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках.
606 Тематические рубрики 0_
a Основная рубрика Полупроводники
x Основная подрубрика Дефекты
610 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова полупроводники
610 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова дефекты в полупроводниках
610 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова термодинамика
686 Индексы других классификаций __
a Классификационный индекс 22.379.2
2 Код системы rubbk
700 Автор _1
a Фамилия Булярский
b Имя (инициалы) С.В.
g Полное личное имя Сергей Викторович
701 Альтернативная интеллектуальная ответственность _1
a Фамилия Светухин
b Имя (инициалы) В.В.
801 Источник записи _0
a Страна RU
b Организация Ульяновская ОНБ
c Дата составления 20030915
g Правила каталогизации PSBO
801 Источник записи _1
a Страна RU
b Организация Ульяновская ОНБ
c Дата составления 20030915
901 Тип документа __
t Тип документа m
909 Создатель записи __
a Создатель записи
938 Служебная информация __
a Имя БД kraeved_work
b Имя библиотеки УОНБ
c Имя АИБС МАРК-SQL
d Номер DOC_ID в БД 63294